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【聯合新聞網／記者楊又肇／報導】

由Crossbar以RRAM (阻變動態記憶體)技術打造記憶體模組，將比NAND Flash提昇最高20倍寫入速度，並且提昇10倍耐用度，同時可在單一晶片模組對應至1TB儲存容量，配合3D堆疊技術將可對應更高儲存容量，此外亦可相容既有CMOS針腳設計，因此可讓現有機板模組直接沿用。

根據Crossbar公布消息，宣布將以RRAM (阻變動態記憶體)技術打造記憶體模組，將可在單一晶片模組 (約200*200mm面積)中對應最高1TB儲存容量，配合3D堆疊技術更可對應更高儲存容量，並且相容既有CMOS針腳設計，因此可在不變動既有機板設計下直接使用。至於在寫入速度部分，RRAM記憶體模組將比NAND Flash提昇20倍寫入速度，以及提高10倍耐用度。

新款RRAM記憶體模組將用於諸如手機或平板等行動裝置，或者是隨身碟、SSD，甚至針對需要大量資料運算暫存空間的工業用電腦、網路/巨量資料伺服器等，同時整體耗電量約比既有技術更為省電，因此也能應用在穿戴式裝置或安全付費裝置儲存應用。

在相同儲存容量規格，NAND Flash與RRAM記憶體模組體面積比較

※相關連結》

‧CROSSBAR EMERGES FROM STEALTH-MODE; UNVEILS CROSSBAR RRAM NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY (Crossbar官方新聞稿)

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