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    　設備大廠美商科磊（KLA Tencor）昨（21）日在新竹舉行科技論壇，並發表新一代晶圓缺陷檢測系列設備及新技術。科磊行銷長Brian Trafas表示，由半導體主流製程的微縮轉換趨勢來看，電子束檢測並無法取代光學檢測，尤其晶圓廠在要求提升先進製程良率之際，也要同步放大投片產能，電子束缺陷檢測設備支援的產出速度太慢，短期內仍無法與光學檢測設備相抗衡。

    　雖然電子束晶圓缺陷檢測技術當紅，台灣設備廠漢微科及科磊已在電子束檢測設備市場上短兵相接，但因科磊擁有光學檢測的技術支援，Brian Trafas認為，只有結合光學及電子束檢測技術，才有辦法協助晶圓廠在最短時間內完成製程良率提升及拉高產能，如科磊的新一代晶圓缺陷檢測設備已獲台積電及聯電採用。

    　Brian Trafas表示，行動裝置對於低功耗及先進半導體製程的需求十分強勁，包括台積電在內的半導體大廠，已開始跨入20奈米以下先進製程，且隨著半導體製造技術由2D轉進3D世代後，3D記憶體或鰭式場效電晶體（FinFET）、多重曝影（double patterning）微影等技術將是未來主流，在製程持續微縮的此刻，晶圓缺陷檢測的難度更高，因此需要更有效率的設備支援。

    　Brian Trafas指出，晶圓缺陷檢測可分為光學及電子束兩大類，其中光學檢測還包括了寬頻電漿（Broadband Plasma）及雷射散射（Laser Scatter）等製程。雖然電子束檢測技術近期受到業界及市場矚目，但要在產能龐大且生產很多不同產品的晶圓廠中，只單純使用電子束檢測設備，將因檢測速度不夠快，進而影響到晶圓廠的產出（through put）速度。科磊台灣分公司總經理張水榮表示，電子束檢測速度不夠快，無法支援晶圓廠投片量產速度，所以光學檢測設備仍是未來幾年的主流。

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